Floating Gate MOSFET: differenze tra le versioni

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I risultati di tre ricerche in particolare fondarono le basi per il sucessivo sviluppo del FGMOS :

# L'utilizzo dell'iniezione per effetto tunnel nella tecnologia CMOS di Thomsen e Brooke<ref>A. Thomsen and M.A. Brooke, "A floating gate MOSFET with tunneling injector fabricated using a standard double-polysilicon CMOS process," IEEE Electron Device Letters, vol. 12, 1991, pp. 111-113</ref> permiseropermise a molti ricercatori di studiare circuiti che utilizzano FGMOS senza ricorrere a processi di fabbricazione complessi.

# Il circuito ''ν''MOS, o neuron-MOS, sviluppato da Shibata and Ohmi<ref>T. Shibata and T. Ohmi, "A functional MOS transistor featuring gate-level weighted sum and threshold operations," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 39, no. 6, 1992, pp. 1444-1455</ref> mostrò l'efficienza dell'uso dei raggi UV sui FGMOS.

# La retina adattiva di Carver Mead<ref>C.A. Mead and M. Ismail, editors, Analog VLSI Implementation of Neural Systems, Kluwer Academic Publishers, Norwell, MA, 1989</ref> fornì un primo esempio dell'uso di programmazione/cancellazione ripetuta tramite raggi UV nella tecnologia dei circuiti adattivi.

[[Image:Floating gate transistor.png|thumb|A cross-section of a floating-gate transistor]]

== Struttura ==

Un FGMOS consiste in uno standard MOS al quale è stato aggiunto il ''Floating Gate'', isolato elettricamente da due strati di SiO₂, tra il substrato ed il ''Control Gate''. Lo strato isolante di SiO₂ che separa il FG dal substrato deve esseresufficientemente sottile da permettere l'iniezione di cariche, mentre lo strato che lo separa dal ''Control Gate'' deve essere spesso a sufficienza da non consentire la fuoriuscita di carica dal dispositivo.