Modello ibrido del transistor: differenze tra le versioni

Versione delle 14:27, 8 mar 2011

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Per un [[transistor a giunzione bipolare]] si può usare il '''modello a parametri ibridi''' qualora sia necessario l'uso a basse frequenze.

== Modello ibrido ==

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[[Immagine:Modello a due porte.PNG|right|Modello a due porte generale.]]

In generale il '''modello ibrido''' è rappresentato da una scatola con due porte: cioè un [[Quadrupolo|doppio bipolo]]. Si hanno quindi quattro variabili, due [[Corrente elettrica|correnti]] <math>i_1, i_2</math> e due [[Tensione elettrica|tensioni]] <math>v_1, v_2</math>, che si possono mettere in relazione lineare tramite un sistema per esempio:

:<math>\begin{cases}v_1 = h_{11} i_1 + h_{12} v_2 \\

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</math>

cioè come variabili indipendenti vengono scelti <math>i_1, v_2</math>, ma possono scegliersi altre variabili. I parametri ''h'' sono appunto detti '''parametri ibridi''' perché mettono hanno [[Analisi dimensionale|dimensioni]] diverse. Vediamone il significato:

:<math>h_{11} = \left. \frac{v_1}{i_1} \right|_{v_2=0}</math>