Hot carriers injection: differenze tra le versioni

Versione delle 14:47, 8 nov 2010

Versione delle 19:37, 17 mag 2011

Riga 1:

In [[elettronica]], '''hot carriers injection''', spesso abbreviato con l'acronimo '''HCI''', è il fenomeno tramite il quale nei dispositivi elettronici a semiconduttore o a stato solido gli [[elettroni]] e le [[lacuna|lacune]] acquistano sufficiente [[energia cinetica]] per oltrepasare la [[barriera di potenziale]] che si instaura nell'interfaccia tra due materiali.

== HCI nei dispositivi a semiconduttore ==

{{vedi anche|MOSFET}}

La tecnica HCI è solitamente riferita ai [[transistor]] MOSFET, dove i portatori di carica sono iniettati dal canale del MOS in [[silicio]] al terminale di ''gate'', attraversando il [[silice|biossido di silicio]] SiO₂.

Riga 7:

Durante l'attraversamento del canale l'energia posseduta dai portatori di carica è persa attraverso la collisione con gli atomi, generando portatori "freddi" e coppie elettrone-lacuna. Può succedere anche che il portatore di carica rompa il legame Si-H, rilasciando un atomo di [[idrogeno]] nel substrato. Questi eventi modificano la tensione di soglia del dispositivo, producendo una corrente minore e un degrado del circuito integrato.

=== HCI nelle memorie flash ===

{{vedi anche|Memoria flash}}

La tecnica HCI è utilizzata nella fase di programmazione delle memorie ''NOR flash'', costituite da [[transistor]] [[MOSFET]] detti [[Floating Gate MOSFET]], caratterizzati dall'avere due terminali di ''gate'' anziché uno soltanto. Uno è il solito CG (''Control Gate'') mentre l'altro viene chiamato ''Floating Gate'' (FG), che risulta essere completamente isolato da uno strato di [[ossido]]. Il floating gate si trova tra il CG e il substrato. Le ''NOR flash'' vengono programmate attraverso l'hot-electron injection: viene applicata una tensione sul CG, la quale avvia un flusso di elettroni che, percorrendo il canale creatosi dall'accensione del transistor, passano dal ''source'' al ''drain''. Gli elettroni con energia più elevata attraversano lo strato di ossido che separa il canale dal FG e venendone intrappolati allinterno.

Riga 17:

[[Categoria:Dispositivi a semiconduttore]]

[[en:Hot carrierscarrier injection]]

[[uk:Інжекція носіїв заряду]]