Gate turn-off: differenze tra le versioni

Versione delle 12:41, 27 mag 2011

Versione delle 13:33, 27 mag 2011

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Il '''turn off''' (disinnesco) è attivato un impulso di ''tensione negativa'' tra i terminali di gate e catodo. Parte della corrente positiva (all'incirca da un terzo a un quinto) viene sottratta è utilizzata per indurre una tensione tra il gate e il catodo che a sua volta provoca una diminuzione della corrente positiva e il GTO si disattiverà (effettuando la transizione dallo stato di conduzione a quello di interdizione).

IGli tiristoriSCR sono soggetti a lunghi tempi di disinnesco a causa dei quali, dopo la caduta di corrente, c'è un lungo intervallo di tempo in cui la corrente residua continua a fluire fino a che tutta la carica rimanente è eliminata dal dispositivo. Ciò limita la massima [[frequenza]] di commutazione approssimativamente ad 1[[kHz]]. Bisogna comunque notare che il tempo di disinnesco di un SCR comparabile è dieci volte quello di un GTO. Quindi la frequenza di commutazione di un GTO è superiore di circa un ordine di grandezza a quella di un SCR di pari caratteristiche.

{| class="wikitable"

|-

! Caratteristiche

! Descrizione

! TiristoreSCR (1600 V, 350 A)

! GTO (1600 V, 350 A)

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| V_{T ON}

| Caduta di tensione nello stato ON

| 1.,5 V

| 3.,4 V

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| t_on, Ig_on

| Tempo di innesco, corrente di gate

| 2 µs, 200 mA

| 8 µs, 2 A

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| t_off

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| 15 µs

|}

^{Confronto tra un SCR e un GTO dellodi stellopari livellocaratteristiche.}

===Tiristore Gate Turn Off a buffer distribuito (Distributed buffer gate turn-off thyristor)===

Il ''distributed buffer gate turn-off thyristor'' (DB-GTO) è un tiristore che presenta una giunzione PN aggiuntiva nella regione di deriva. La struttura di questo dispositivo risulta quindi composta da giunzioni con [[drogaggio]] PN-PN-PN. Tale tecnologia consente di "riformare" il profilo del campo elettrico ed incrementare la tensione che puo'può essere bloccata nello stato di "spento".

==Bias inverso (Reverse bias)==