Gate turn-off: differenze tra le versioni

Versione delle 14:01, 29 giu 2011

Versione delle 11:47, 18 lug 2011

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I tiristori GTO asimmetrici possono essere fabbricati con un diodo conducente in inversa nello stesso modulo. Questi sono conosciuti come RCGTO, che sta per "reverse conducting GTO".

== Area operativa di sicurezza (Safe Operating Area - SOA)==

Diversamente dal [[IGCT]] ''(Integrated Gate Commutated Thyristor)'' o dall'[[IGBT]] ''(Insulated Gate Bipolar Transistor)'', il GTO necessita di un circuito esterno per gestire le rampe di corrente all'innesco e di tensione al disinnesco per prevenire la distruzione del dispositivo.

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* Shah, P.B. Electronics Letters, vol. 36, p. 2108, (2000).

* Shah, P.B., Geil, B.R., Ervin, M.E. et.al. IEEE Trans. Power Elect., vol. 17, p. 1073, (2002).

== Altri progetti ==

{{interprogetto|commons=Category:Gate turn-off thyristors}}

[[Categoria:Dispositivi a semiconduttore]]