EEPROM: differenze tra le versioni

Versione delle 04:22, 23 feb 2013

Versione delle 18:30, 10 apr 2013

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Ciascuna cella di memoria capace di memorizzare un singolo bit è costituita da due transistori [[MOSFET|MOS]], uno "di memoria" e uno "di accesso".

== Nascita della tecnologia ==

Nel [[1978]] George Perlegos sviluppò l'Intel 2816 basandosi sulla tecnologia [[EPROM]], ma usando uno strato sottile di ossido per il gate. In questo modo il chip può cancellare i propri bit senza richiedere l'uso di una [[radiazione ultravioletta|sorgente UV]]. In seguito Perlegos e altri lasciarono Intel per fondare [http://www.antiquetech.com/companies/seeq_technology.htm Seeq Technology], che aggiunse nel dispositivo le [[pompa di carica|pompe di carica]] per fornire gli alti voltaggi necessari per programmare le EEPROM.<ref>{{Cita pubblicazione

| cognome = Rostky

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== Il transistor di memoria ==

Il [[transistor]] di memoria ha due gate.

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== Il transistor di accesso ==

Come nel caso delle memorie EPROM, anche le EEPROM presentano una criticità legata alla fase di cancellazione.

Il processo di scarica del floating gate può infatti determinare, come effetto indesiderato, l'accumulo di una carica positiva con conseguente variazione della tensione di soglia del dispositivo. Il problema è stato risolto mediante l'introduzione dei transistori di accesso, che sono parte integrante della cella.

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== Limitazioni ==

Ci sono due limitazioni sulle informazioni immagazzinate: resistenza e ritenzione.

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== Considerazioni conclusive ==

Le EEPROM sono il più diffuso componente elettronico ad utilizzare principi della [[meccanica quantistica]]; ad esempio, l'[[effetto tunnel]].

== Bibliografia ==

* Angelo Geraci, ''Principi di elettronica dei sistemi digitali'', editore McGraw-Hill