CMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 18:24, 13 mag 2013

Versione delle 19:15, 23 mag 2013

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Uno dei principali vantaggi della logica CMOS è di avere una potenza statica dissipata idealmente nulla: questa caratteristica è dovuta alla [[complementarità]] del [[pull-down]] (n-Mos) e del [[pull-up]] (p-Mos);

ossia, quando è acceso il pull-up, è spento il pull-down, e viceversa.

In realtà ci sono piccole correnti di perdita (per caricare/scaricare le capacità parassite, la corrente di cortocircuito durante la commutazione di stato, per perdite alle giunzioni e per le correnti di sottosoglia), trascurabili se il numero dei MOS è relativamente piccolo, ma che può diventare particolarmente sentito, in particolare le correnti di sottosoglia sono responsabili di circa la metà della dissipazione di potenza nelle attuali realizzazioni [[VLSI]].

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:<math>= \frac {V_{dd}}{T} \left [ \int_{t_a}^{t_b} I_{dn,sat}(t) \operatorname dt + \int_{t_b}^{t_c} I_{dp,sat}(t) \operatorname dt + \int_{t_d}^{t_e} I_{dp,sat}(t) \operatorname dt + \int_{t_e}^{t_f} I_{dn,sat}(t) \operatorname dt \right ]</math>

Facendo l'ipotesi di MOS complementari

:<math>\beta_n = \beta_p \ </math>

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Nota: Dipende:

* linearmente dalla durata del fronte di salita (o di discesa)

* dal cubo della tensione di alimentazione

* inversamente dal Periodo (cioè, aumentando la frequenza di lavoro, aumenta la potenza dissipata)

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{{interprogetto|commons=Category:CMOS}}

{{Portale|elettrotecnica|elettronica|elettrotecnica|informatica}}

[[Categoria:Terminologia dell'elettronica]]