CMOS: differenze tra le versioni

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{{F|elettronicacomponenti per computer|arg2=informaticaelettronica|marzo 2013|Nessuna fonte}}

[[File:CMOS Inverter.svg|right|thumb|Circuito [[invertitore]] a tecnologia CMOS]]

Il '''CMOS''', acronimo di '''complementary metal-oxide semiconductor''', è un tipo di tecnologia utilizzata in [[elettronica]] per la progettazione di [[circuito integrato|circuiti integrati]], alla cui base sta l'uso dell'[[invertitore]] a [[transistor]] [[MOSFET]]. Si tratta di una struttura circuitale costituita dalla serie di una rete di "Pull-Up" ed una di "Pull-Down": la prima s'incarica di replicare correttamente il livello logico alto '''LL1''' mentre alla seconda è destinata la gestione del livello logico basso '''LL0'''. La rete di Pull-Up è costituita di soli '''[[P-MOS]]''', ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) a effetto di campo che si "accendono" solo se la tensione presente al loro ''gate'' (misurata rispetto al loro ''source'') è minore della loro [[tensione di soglia]], che per questi particolari componenti equivale a metà tensione di alimentazione. Inversamente la rete di Pull-Down è costituita di soli '''[[N-MOS]]''', ovvero MOSFET che si accendono solo se la tensione presente al loro gate (misurata rispetto al loro source) è maggiore della loro tensione di soglia.

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== Caratteristiche ==

[[File:Cmos impurity profile.PNG|right|thumbnail|400px|Sezione trasversale di due transistor in una porta CMOS]]

[[ImageFile:CMOS fabrication process.svg|thumb|left|100px|Processo semplificato di microfabbricazione. NB: i contatti di gate, source e drain non sono realmente sullo stesso piano, e il diagramma non è n scala.]]

Uno dei principali vantaggi della logica CMOS è di avere una potenza statica dissipata idealmente nulla: questa caratteristica è dovuta alla [[complementarità]] del [[pull-down]] (n-Mos) e del [[pull-up]] (p-Mos);