Field Programmable Gate Array: differenze tra le versioni
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Il costo di tali dispositivi è oggi in rapida diminuzione: ciò li rende sempre di più una valida alternativa alla tecnologia [[standard cell]]. Usualmente vengono programmati con linguaggi come il [[Verilog]] o il [[VHDL]], ma non bisogna dimenticare la modalità "schematic-entry", che consente un approccio veloce e semplificato a tale tecnologia, e peraltro, di pari potenzialità. Molte case costruttrici (ad esempio [[Xilinx]] e [[Altera]]) forniscono gratuitamente sistemi di sviluppo che supportano quasi tutta la loro gamma di prodotti.
==Principali tecnologie==
* [[SRAM]] - Tecnologia basata su tecnologia a memoria statica [[CMOS]]. Le SRAM-FPGA sono programmabili e riprogrammabili molte volte, e richiedono l'utilizzo di dispositivi esterni per essere configurate. In uso.
* [[Antifusibile]] - Circuiti programmabili una sola volta (''One-time programmable''); CMOS.
* [[Programmable Read Only Memory|PROM]] - Circuiti programmabili una sola volta; obsoleta.
* [[EPROM]] - I dispositivi basatu su tecnologia EPROM possono essere riprogrammati mediante la cancellazione dei dati precedentemente configurati con [[radiazione ultravioletta]]. CMOS; obsoleta.
* [[EEPROM]] - A differenza dei precedenti circuiti, la cancellazione dei dati avviene per via elettrica.
* [[Memoria flash|Flash]] - Tecnologia EPROM basata su memoria flash, si tratta di dispositivi che possono essere riprogrammati. Solitamente una cella di memoria flash è più piccola di una equivalente cella EEPROM, ed è anche meno costosa da fabbricare. CMOS.
* [[Fusibile]] - Programmabile una sola volta; bipolare; obsoleta.
==Dispositivi SRAM==
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