Read Only Memory: differenze tra le versioni

Versione delle 21:49, 12 gen 2014

Versione delle 21:40, 11 mar 2014

Riga 20:

=== ROM a diodi ===

[[File:ROM_a_diodi.JPG|400pxupright=1.8|thumb|right|Schema elettrico di una memoria ROM a matrice di diodi.]]

La memoria in figura è una memoria a matrice di diodi. Essa è costituita, come illustrato sopra, da un decodificatore di riga a tre bit (l'intera parte di circuito a sinistra, terminante con la serie di porte [[Congiunzione logica|AND]]) e dal codificatore a matrice di diodi. È evidente la sua struttura a griglia.

Per ognuna delle otto combinazioni delle tre linee di indirizzo A0, A1, A2 in ingresso al decodificatore, si abilita una sola delle otto uscite del decodificatore. I diodi di quella riga trasferiscono il livello logico alto alla rispettiva colonna; i diodi delle altre righe sono interdetti perché l'anodo è sicuramente a potenziale zero.

Riga 52:

=== ROM a BjT ===

[[File:ROM_a_BJT.JPG|400pxupright=1.8|thumb|Schema elettrico di una memoria ROM a transistor BJT.]]

La memoria in figura è una memoria ROM a transistor BJT. Tutti i collettori dei transistor sono collegati all'alimentazione + Vcc, alle basi arrivano le linee di uscita di un decodificatore (non rappresentato in figura), e infine alcuni emettitori sono collegati alle linee di uscita Y1, Y2, Y3, altri non lo sono. I transistor lavorano come interruttori elettronici, perciò o sono in saturazione (interruttore chiuso), o sono interdetti (interruttore aperto).