Next Generation Memory: differenze tra le versioni

Versione delle 02:41, 15 ott 2014

Versione delle 15:35, 15 ott 2014

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Per '''Next Generation Memory'''<ref>{{en}}{{cita web |cognome=Atwood |nome=Greg |titolo=Next-Generation Memory |url=http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=6583185 |accesso=20 Settembre 2014}}</ref> si intendono tutte le nuove tecnologie per la memorizzazione, che sono state introdotte o verranno introdotte nel mondo informatico. La memoria, allo stato attuale, è uno dei componenti informatici più importanti nel panorama tecnologico odierno. Vediamo in questa pagina quali sono le nuove tecnologie e cosa significa introdurre nei dispositivi memorie di nuova concezione.

Le memorie utilizzate nei dispositivi attuali sfruttano le tecnologie emerse nei primi anni '70; stiamo parlando delle memorie a transistor (SRAM, DRAM e Flash) e delle memorie magnetiche (Hard Disk e memorie a nastro). Queste memorie, che sono in gran parte utilizzate ancora oggi, hanno avuto una vita lunghissima, e coerentemente con la legge di Moore, ogni 18 mesi raddoppiava il numero di transistor e si dimezzavano i costi.

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Al momento, la più vicina alla commercializzazione di massa tra le nuove tecnologie viste precedentemente è la PCM, commercializzata da Micron Technology e Samsung.

===Caso particolare: le Persistent Memory<ref>{{en}}{{cita web |cognome=Badam |nome=Anirudh |titolo=How Persisten Memory Will Change Software Systems |url=http://www.computer.org/csdl/mags/co/2013/08/mco2013080045-abs.html |accesso=20 Settembre 2014}}</ref>===

Fino ad oggi le memorie centrali sono state caratterizzate da:

*volatilità