CMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 17:35, 30 mag 2014

Versione delle 18:59, 28 nov 2014

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== Caratteristiche ==

[[File:Cmos impurity profile.PNG|thumb|upright=1.8left|Sezione trasversale di due transistor in una porta CMOS]]

[[File:CMOS fabrication process.svg|thumb|left|upright=0.575|Processo semplificato di microfabbricazione. <br/>NB: i contatti di ''gate'', ''source'' e ''drain'' non sono realmente sullo stesso piano, e il diagramma non è nin scala.]]

Uno dei principali vantaggi della logica CMOS è di avere una potenza statica dissipata idealmente nulla: questa caratteristica è dovuta alla [[complementarità]] del [[pull-down]] (n-Mos) e del [[pull-up]] (p-Mos); ossia, quando è acceso il pull-up, è spento il pull-down, e viceversa.

ossia, quando è acceso il pull-up, è spento il pull-down, e viceversa.

In realtà ci sono piccole correnti di perdita (per caricare/scaricare le capacità parassite, la corrente di cortocircuito durante la commutazione di stato, per perdite alle giunzioni e per le correnti di sottosoglia), trascurabili se il numero dei MOS è relativamente piccolo, ma che può diventare particolarmente sentito, in particolare le correnti di sottosoglia sono responsabili di circa la metà della dissipazione di potenza nelle attuali realizzazioni [[VLSI]].

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Ogni funzione logica binaria può essere espressa in termini di questi due operatori.

===FSI e BSI===

===FSI e BSI<ref>[http://www.techup.it/news/arriva_un_nuovo_tipo_di_sensore_cmos-0550 Arriva un nuovo tipo di sensore CMOS]</ref>===

Originariamente i CMOS hanno una struttura del tipo FSI (front side illumination), dove lo strato di silicio (fotosensori) è posto in fondo, mentre con la disposizione BSI (backside illumination) dato che lo strato di silicio è posto sopra gli strati metallici (servono al fotodiodo per convertire i fotoni della luce in elettroni, quindi in segnali elettrici), il che permette una maggiore sensibilità alla luce e per via della disposizione anche una maggiore fedeltà al colore (minori contaminazioni dei pixel adiacenti) e possibilità di adoperare ottiche più compatte.<ref>[http://www.techup.it/news/arriva_un_nuovo_tipo_di_sensore_cmos-0550 Arriva un nuovo tipo di sensore CMOS]</ref>

== Potenza dinamica dissipata da un CMOS ==