Il nuovo processo di produzione consentirà al gigante americano degli integrati di ottimizzare la resa di ogni [[wafer (elettronica)|wafer]], abbassando così i costi di produzione, e infatti, proprio in quest’ottica, Intel ha deciso di adottare nuovi wafer da 300 mm di diametro che andranno a sostituire i precedenti (che presentavano una superficie utile relativa pari a circa il 40% dei nuovi wafer).
Utilizzando un approccio piuttosto semplicisticoSemplificando, possiamo dire che la misura cui il processo produttivo fa riferimento ([[130 nm]], per la precedente generazione di integrati Intel, 90 nm per quella attualmente utilizzata dal produttorela americanonuova), ci dà un’indicazione della grandezza del gate di un transistor. È evidente, quindi, che diminuendo la dimensioni di ogni singolo transistor è possibile guadagnare prezioso spazio da riutilizzare per l’implementazione di nuove unità (o magari per l'allargamento di altre già presenti, come nel caso della cache). Il processo di riduzione delle dimensioni prende il nome di "''shrink''", dal momento che tale operazione interessa tutti i transistor che compongono il ''[[die (elettronica)|die]]'', gli ingegneri si riferiscono a questo tipo di interventi con il termine "die shrink". Come, però, Intel si è affrettata a precisare, Dothan non è soltanto un "die shrink" del precedente progetto Banias.
