EEPROM: differenze tra le versioni
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'''EEPROM''' (anche scritto '''E<sup>2</sup>PROM'''), acronimo di '''E'''lectrically '''E'''rasable '''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory, è un tipo di [[memoria non volatile]], usata nei [[computer]] e altri dispositivi elettronici per memorizzare piccole quantità di dati che devono essere mantenuti quando viene tolta l'[[alimentazione elettrica]] (per esempio la [[configurazione]] del dispositivo). Le operazioni di scrittura, cancellazione e riscrittura hanno luogo elettricamente.
Ciascuna cella di memoria capace di memorizzare un singolo [[bit]] è costituita da due transistori [[MOSFET|MOS]], uno "di memoria" e uno "di accesso".
== Nascita della tecnologia ==
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== Il transistor di memoria ==
Il [[transistor]] di memoria ha due gate.
Il primo è un gate tradizionale, collegato elettricamente con il resto del gruppo. In questa tecnologia è denominato ''control gate''. Il secondo gate è sepolto nell'ossido e quindi isolato elettricamente. Esso è separato dal primo gate, così come dal canale del transistor, per mezzo di un sottilissimo strato di materiale isolante. Per questo motivo è detto ''floating gate''. In gergo, lo si definisce ''flottante''.
A differenza delle EPROM, nelle EEPROM vi è una regione, in prossimità del [[drain]], in cui lo spessore dello strato di ossido che separa il floating gate dal canale è ridotto al punto tale da permettere il passaggio di elettroni per [[effetto tunnel]] (Fowler-Nordheim).
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== Note ==
<references/>
== Altri progetti ==
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