CMOS: differenze tra le versioni

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[[File:CMOS Inverter.svg|thumb|Circuito semplificato dell'[[invertitore]] a tecnologia CMOS]]

Il '''CMOS''', acronimo di '''complementary metal-oxide semiconductor''', è un tipo di tecnologia utilizzata in [[elettronica]] per la progettazione di [[circuito integrato|circuiti integrati]], alla cui base sta l'uso dell'[[invertitore]] a [[transistor]] [[MOSFET]]. Si tratta di una struttura circuitale costituita dalla serie di una rete di "Pull-Up" ed una di "Pull-Down": la prima s'incarica di replicare correttamente il livello logico alto '''LL1''' mentre alla seconda è destinata la gestione del livello logico basso '''LL0'''. La rete di Pull-Up è costituita di soli '''[[P-MOS]]''', ovvero transistor metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) a effetto di campo che si "accendono" solo se la tensione presente al loro ''gate'' (misurata rispetto al loro ''source'') è minore della loro [[tensione di soglia]], che per questi particolari componenti equivale a metà tensione di alimentazione. Inversamente la rete di Pull-Down è costituita di soli '''[[N-MOS]]''', ovvero MOSFET che si accendono solo se la tensione presente al loro gate (misurata rispetto al loro source) è maggiore della loro tensione di soglia. Il circuito CMOS venne inventato da Frank Wanlass nel 1967.