Floating Gate MOSFET: differenze tra le versioni
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== Struttura ==
Un FGMOS consiste in uno standard MOS al quale è stato aggiunto il ''Floating Gate'-àbv àcvx ', isolato elettricamente da due strati di SiO<sub>2</sub>, tra il substrato ed il ''Control Gate''. Lo strato isolante di SiO<sub>2</sub> che separa il FG dal substrato deve essere sufficientemente sottile da permettere l'iniezione di cariche, mentre lo strato che lo separa dal ''Control Gate'' deve essere spesso a sufficienza da non consentire la fuoriuscita di carica dal dispositivo.
Vi sono numerose varianti di questo schema, tra le quali alcune presentano l'aggiunta di più terminali di ''gate'' per transistor al fine di poter memorizzare più di un bit di informazione. Il processo di iniezione delle cariche, in particolare, modifica la struttura del dispositivo.
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== Note==
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