BiCMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 06:48, 20 mar 2014

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Mentre i progettisti di [[circuito discreto|circuiti discreti]] possono da tempo disporre dei vantaggi derivanti dall'uso combinato di MOSFET e BJT, nel campo dell'[[Circuito integrato|elettronica integrata]] è stato possibile introdurre la logica BiCMOS solo alla fine degli anni '80.

Per fare ciò è stato necessario modificare i processi CMOS, in seguito all'introduzione dei processi a doppia tasca, dei substrati con epitassia, e grazie all'uso di processi avanzati per i bipolari quali gli emettitori in [[polisilicio]], le strutture autoallineate e gli isolamenti LOCOS.

L'avvento delle applicazioni wireless, ha determinato un aumentata richiesta di integrati per [[radio frequenza|RF]] ad alte prestazioni. È stato possibile supplire a questa necessità con l'introduzione di processi BiCMOS a SiGe (Silicio-Germanio), competitivi con i processi in GaAs (Arsenuro di [[Gallio (elemento chimico)|gallio]]) e compatibili con processi Si. Questi nuovi processi permettono di raggiungere frequenze di transizione pari a 50–70 GHz, contro i 10 GHz di un normale transistore bipolare npn.

== Configurazioni ==