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== Funzionamento elementare di un SSD ==

{{See also|Memoria flash|Unità a stato solido}}

[[File:NAND Flash Pages and Blocks.svg|frame|MemoriaUn esempio di memoria flash NAND che scrive dati in 4&nbsp;KiB pagine e cancella dati in 256&nbsp;KiB blocchi.<ref>{{cite web |url=http://www.snia.org/sites/default/education/tutorials/2009/spring/solid/JonathanThatcher_NandFlash_SSS_PerformanceV10-nc.pdf |title=NAND Flash Solid State Storage Performance and Capability &ndash; an In-depth Look |author=Thatcher, Jonathan |date=2009-08-18 |publisher=SNIA |accessdate=2012-08-28}}</ref>}}]]

A causa della particolare tipologia di operazioni eseguibili in [[memoria flash]], le informazioni non possono essere sovrascritte direttamente come nel caso di un [[disco rigido]]. Quando le informazioni sono scritte per prime in un disco a stato solido, tutte le [[Memoria_flash#Il_transistor_floating_gate|celle]] sono inizializzate in modo tale che vi si possa scrivere direttamente in pagine (solitamente di grandezza compresa intorno a 4-8 [[kilobytes]](KB) ciascuna). Il controller dell'unità a stato solido, che si occupa di gestire la memoria flash e le [[Interfaccia_(informatica)|interfacce]] con l'host, utilizza una mappatura da logico-a-fisico conosciuta come ''LBA'' o [[logical block addressing]], che è parte dell'FTL, o ''flash translation layer'', ovvero il livello di traduzione di un [[flash file system|file system di tipo flash]].<ref>{{cite web |url=http://domino.watson.ibm.com/library/cyberdig.nsf/papers/50A84DF88D540735852576F5004C2558/$File/rz3771.pdf |title=The Fundamental Limit of Flash Random Write Performance: Understanding, Analysis and Performance Modelling |author1=Hu, X.-Y. |author2=R. Haas |lastauthoramp=yes |publisher=IBM Research, Zurich |date=2010-03-31 |accessdate=2010-06-19}}</ref>