Write amplification: differenze tra le versioni

Versione delle 12:09, 18 dic 2016

Versione delle 10:42, 19 dic 2016

Riga 208:

-->

== Funzionamento elementare di un SSD ==

{{See also|Memoria flash|Unità a stato solido|Flash file system}}

[[File:NAND Flash Pages and Blocks.svg|frame|Un esempio di memoria flash NAND che scrive dati in 4&nbsp;KiB pagine e cancella dati in 256&nbsp;KiB blocchi.<ref>{{Cita web|url=http://www.snia.org/sites/default/education/tutorials/2009/spring/solid/JonathanThatcher_NandFlash_SSS_PerformanceV10-nc.pdf |titolo=NAND Flash Solid State Storage Performance and Capability &ndash; an In-depth Look |autore=Thatcher, Jonathan |data=18 agosto 2009 |editore=SNIA |accesso=28 agosto 2012}}</ref>}}]]

A causa della particolare tipologia di operazioni eseguibili in [[memoria flash]], le informazioni non possono essere sovrascritte direttamente come nel caso di un [[disco rigido]]. Quando le informazioni sono scritte per prime in un disco a stato solido, tutte le [[Memoria_flash#Il_transistor_floating_gate|celle]] sono inizializzate in modo tale che vi si possa scrivere direttamente in pagine (solitamente di grandezza compresa intorno a 4-8 [[kilobytes]](KB) ciascuna). Il [[Unit%C3%A0_a_stato_solido#Controller|controller]] dell'unità a stato solido, che si occupa di gestire la memoria flash e le [[Interfaccia_(informatica)|interfacce]] con l'host, utilizza una mappatura da logico-a-fisico conosciuta come ''LBA'' o [[logical block addressing]], che è parte dell'FTL, o ''flash translation layer'', ovvero il livello di traduzione di un [[flash file system|file system di tipo flash]].<ref>{{Cita web|url=http://domino.watson.ibm.com/library/cyberdig.nsf/papers/50A84DF88D540735852576F5004C2558/$File/rz3771.pdf |titolo=The Fundamental Limit of Flash Random Write Performance: Understanding, Analysis and Performance Modelling |autore1=Hu, X.-Y. |autore2=R. Haas |lastauthoramp=yes |editore=IBM Research, Zurich |data=31 marzo 2010 |accesso=19 giugno 2010}}</ref>