BiCMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 00:53, 7 apr 2007

Versione delle 12:28, 4 mag 2007

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Mentre i progettisti di circuiti discreti possono da tempo disporre dei vantaggi derivanti dall'uso combinato di MOSFET e BJT, nel campo dell'[[Circuito integrato|elettronica integrata]] è stato possibile introdurre la logica BiCMOS solo alla fine degli anni '80.

Per fare ciò è stato necessario modificare i processi CMOS, in seguito all'introduzione dei processi a doppia tasca, dei substrati con epitassia, e grazie all'uso di processi avanzati per i bipolari quali gli emettitori in polisilicio, le strutture autoallineate e gli isolamenti LOCOS.

L'avvento delle applicazioni wireless, ha determinato un aumentata richiesta di integrati per [[radio frequenza|RF]] ad alte prestazioni. E'È stato possibile supplire a questa necessità con l'introduzione di processi BiCMOS a SiGe (Silicio-Germanio), competitivi con i processi in GaAs (Arsenuro di Gallio) e compatibili con processi Si. Questi nuovi processi permettono di raggiungere frequenze di switching pari a 50-70 GHz, contro i 10 GHz di un normale transistore bipolare npn.

== Configurazioni ==

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== Svantaggi ==

Purtroppo la logica BiCMOS richiede un processo di fabbricazione complesso e dunque costoso. E'È perciò necessario che le elevate prestazioni che dimostra in certi campi vengano realmente sfruttate.

Altra caratteristica è il consumo di potenza: se questo è infatti nettamente inferiore a quello di una porta logica [[Transistor-transistor logic|TTL]] equivalente, non sarà mai ridotto quanto quello di un dispositivo CMOS.