Transistor a effetto di campo: differenze tra le versioni

Versione delle 20:23, 9 feb 2017

Versione delle 20:24, 9 feb 2017

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[[Image:MOSFET functioning.svg|thumb|upright=1.8|Caratterizzazione della regione di canale in funzione della regione di funzionamento. Quando il dispositivo lavora nella regione di saturazione il canale è strozzato in prossimità del ''pozzo'', e la corrente dipende solamente dalla tensione tra la'' porta ''e la ''sorgente''.]]

=== Regione di interdizione ===

La regione di interdizione, anche detta di ''cut-off'', si verifica quando ''<math>V_{GS} < V_{th}</math>, dove ''<math>V_{GS}</math>'' è la tensione tra ''gate e source'', considerando il terminale di ''source ''cortocircuitato con l'elettrodo del ''bulk''. In questo caso non si verifica la formazione del canale: il transistor è spento e non vi è passaggio di carica tra ''gate e'' ''source''.

=== Regione lineare ===