Write amplification: differenze tra le versioni

Versione delle 00:32, 1 feb 2018

Versione delle 23:37, 11 mar 2018

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== Funzionamento elementare di un SSD ==

{{See also|Memoria flash|Unità a stato solido|Flash file system}}

[[File:NAND Flash Pages and Blocks.svg|frame|Un esempio di memoria flash NAND che scrive dati in 4&nbsp;KiB pagine e cancella dati in 256&nbsp;KiB blocchi.<ref>{{Cita web|urlname=http://www.snia.org/sites/default/education/tutorials/2009/spring/solid/JonathanThatcher_NandFlash_SSS_PerformanceV10-nc.pdf |titolo=NAND Flash Solid State Storage Performance and Capability &ndash; an In-depth Look |autore=Thatcher, Jonathan |data=18 agosto 2009 |editore=SNIA |accesso=28"L agostoSmith" 2012}}</ref>}}]]

A causa della particolare tipologia di operazioni eseguibili in [[memoria flash]], le informazioni non possono essere sovrascritte direttamente come nel caso di un [[disco rigido]]. Quando le informazioni sono scritte per prime in un'[[Unità a stato solido|unità stato solido]], tutte le [[Memoria flash#Il transistor floating gate|celle]] sono inizializzate in modo tale che vi si possa scrivere direttamente in pagine (solitamente di grandezza compresa intorno a 4-8 [[kilobytes]] ciascuna). Il [[Unità a stato solido#Controller|controller]] dell'unità, che si occupa di gestire la memoria flash e le [[Interfaccia (informatica)|interfacce]] con l'host, utilizza una mappatura da logico-a-fisico conosciuta come ''LBA'' o [[logical block addressing]], che è parte dell'FTL, o ''[[flash translation layer]]'', ovvero il livello di traduzione di un [[flash file system]].<ref>{{Cita web|url=http://domino.watson.ibm.com/library/cyberdig.nsf/papers/50A84DF88D540735852576F5004C2558/$File/rz3771.pdf |titolo=The Fundamental Limit of Flash Random Write Performance: Understanding, Analysis and Performance Modelling |autore1=Hu, X.-Y. |autore2=R. Haas |lastauthoramp=yes |editore=IBM Research, Zurich |data=31 marzo 2010 |accesso=19 giugno 2010}}</ref>

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[[File:Garbage Collection.png|thumb|upright=1.5|Le pagine sono scritte nei blocchi fino a quando non vengono riempiti. Poi le pagine con le informazioni attuali sono spostate in nuovi blocchi e quelli precedenti vengono cancellati<ref name="IBM_WA" />]]

I dati sono scritti sulla memoria flash in unità chiamate pagine (costituite da più celle). La memoria può essere cancellata solo in unità più grandi chiamate blocchi (costituiti da più pagine).<ref name="L Smith">{{Cita web|url=http://www.snia.org/sites/default/education/tutorials/2009/spring/solid/JonathanThatcher_NandFlash_SSS_PerformanceV10-nc.pdf |titolo=NAND Flash Solid State Storage Performance and Capability &ndash;– an In-depth Look |autore=Thatcher, Jonathan |data=18 agosto 2009 |editore=SNIA |accesso=28 agosto 2012}}</ref> Se le informazioni in qualcuna delle pagine del blocco non sono più necessarie (sono anche chiamate pagine di stallo), solo le pagine con informazioni valide in quel blocco sono lette e riscritte in un altro blocco libero precedentemente pulito.<ref name="K Smith" /> Successivamente le pagine lasciate libere dal non aver mosso le informazioni di stallo sono libere per i nuovi dati. Questo processo è chiamato [[garbage collection]](GC).<ref name="IBM_WA" /><ref name="OCZ_WA"/> Tutti gli SSD includono un qualche livello di garbage collection, che può variare nella quantità e nella velocità di esecuzione del processo.<ref name="OCZ_WA" />. Il garbage collection è un fattore determinante per la write amplification su di un SSD.<ref name="IBM_WA" /><ref name="OCZ_WA" />

Le operazioni di lettura non richiedono una cancellazione della memoria flash, pertanto non sono generalmente associate alla write amplification. Nella limitata ipotesi in un errore di disturbo dell'operazione di lettura, le informazioni in quel blocco sono lette e riscritte, ma questo non avrebbe comunque nessun impatto materiale sulla write amplification del dispositivo.<ref>{{Cita web|url=http://download.micron.com/pdf/technotes/nand/tn2917.pdf |titolo=TN-29-17: NAND Flash Design and Use Considerations |anno=2006 |editore=Micron |accesso=2 giugno 2010}}</ref>