EEPROM: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Nessun oggetto della modifica |
m Annullate le modifiche di 80.68.181.66 (discussione), riportata alla versione precedente di InternetArchiveBot Etichetta: Rollback |
||
Riga 1:
'''EEPROM''' (anche scritto '''E<sup>2</sup>PROM'''), [[acronimo]] di '''E'''lectrically '''E'''rasable '''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory, è un tipo di [[memoria non volatile]], usata nei [[computer]] e altri [[dispositivo elettronico|dispositivi elettronici]] per memorizzare piccole quantità di dati che devono essere mantenuti quando viene tolta l'[[alimentazione elettrica]] (per esempio la [[configurazione]] del dispositivo). Le operazioni di scrittura, cancellazione e riscrittura hanno luogo elettricamente.▼
▲(anche scritto '''E<sup>2</sup>PROM'''), [[acronimo]] di '''E'''lectrically '''E'''rasable '''P'''rogrammable '''R'''ead-'''O'''nly '''M'''emory, è un tipo di [[memoria non volatile]], usata nei [[computer]] e altri [[dispositivo elettronico|dispositivi elettronici]] per memorizzare piccole quantità di dati che devono essere mantenuti quando viene tolta l'[[alimentazione elettrica]] (per esempio la [[configurazione]] del dispositivo). Le operazioni di scrittura, cancellazione e riscrittura hanno luogo elettricamente.
Ciascuna cella di memoria capace di memorizzare un singolo [[bit]] è costituita da due transistori [[MOSFET|MOS]], uno "di memoria" e uno "di accesso".
|