CMOS: differenze tra le versioni

Versione delle 21:19, 7 giu 2018

Versione delle 21:20, 7 giu 2018

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Originariamente i CMOS hanno una struttura del tipo FSI (''front side illumination''), dove lo strato di silicio (fotosensori) è posto in fondo, mentre con la disposizione BSI (''backside illumination'') dato che lo strato di silicio è posto sopra gli strati metallici (servono al fotodiodo per convertire i fotoni della luce in elettroni, quindi in segnali elettrici), il che permette una maggiore sensibilità alla luce e per via della disposizione anche una maggiore fedeltà al colore (minori contaminazioni dei pixel adiacenti) e possibilità di adoperare ottiche più compatte.<ref>[http://www.techup.it/news/arriva_un_nuovo_tipo_di_sensore_cmos-0550 Arriva un nuovo tipo di sensore CMOS]</ref>

== Potenza dinamica dissipata da un CMOS ==

Si possono identificare due tipi di dissipazioni di potenza dinamica:

* Potenza di cortocircuito

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=== Potenza di cortocircuito ===

TrascuriamoTrascurando la capacità parassita <math>C_l</math> e consideriamo un segnale di ingresso che comprenda un fronte di salita e uno di discesa, tenendo presente il ritardo di propagazione (<math>t_r</math> e <math>t_f</math> sono non nulli).

Trascuriamo la capacità parassita <math>C_l</math> e consideriamo un segnale di ingresso che comprenda un fronte di salita e uno di discesa, tenendo presente il ritardo di propagazione (<math>t_r</math> e <math>t_f</math> sono non nulli).

Dall'istante <math>t_a</math> a <math>t_c</math> e da <math>t_d</math> a <math>t_f</math> la corrente non è nulla in quanto sia il PU che il PD sono accesi.

Quindi la potenza avrà un valore non nullo in quei punti; ricordiamo che la potenza dinamica è: