Modello ibrido del transistor
Per un transistor a giunzione bipolare si può usare il modello a parametri ibridi qualora sia necessario l'uso a basse frequenze.
Modello ibrido
In generale il modello ibrido è rappresentato da una scatola con due porte: cioè un doppio bipolo. Si hanno quindi quattro variabili, due correnti e due [Tensione elettrica|tensioni]] , che si possono mettere in relazione lineare tramite un sistema per esempio:
cioè come variabili indipendenti vengono scelti , ma possono scegliersi altre variabili. I parametri h sono appunto detti parametri ibridi perché mettono in relazione grandezze diverse e quindi alcuni di essi sono adimensionali. Vediamone il significato:
prende il nome di resistenza d'ingresso quando l'uscita è in corto circuito e quindi si misura in Ohm;
è il rapporto tra le tensioni d'ingresso e d'uscita ad ingresso aperto ed è detto amplificazione inversa a vuoto ed è adimensionale;
è il rapporto tra le correnti di uscita e di ingresso quando l'uscita è in corto circuito ed è detto amplificazione di corrente ed è anch'esso adimensionale;
è la conduttanza di uscita con ingresso a vuoto e quindi si misura in Siemens.
Modello ibrido del transistor a giunzione
Possiamo applicare il modello ibrido al transistor a giunzione. Il circuito equivalente del transistor ad emettitore comune è rappresentato in figura.