Modello ibrido del transistor

Per un transistor a giunzione bipolare si può usare il modello a parametri ibridi qualora sia necessario l'uso a basse frequenze.

Modello ibrido

In generale il modello ibrido è rappresentato da una scatola con due porte: cioè un doppio bipolo. Si hanno quindi quattro variabili, due correnti   e due [Tensione elettrica|tensioni]]  , che si possono mettere in relazione lineare tramite un sistema per esempio:

 

cioè come variabili indipendenti vengono scelti  , ma possono scegliersi altre variabili. I parametri h sono appunto detti parametri ibridi perché mettono in relazione grandezze diverse e quindi alcuni di essi sono adimensionali. Vediamone il significato:

Errore del parser (errore di sintassi): {\displaystyle h_{11} = \frac{v_1}{i_1} \right|_{v_2=0}}

prende il nome di resistenza d'ingresso quando l'uscita è in corto circuito e quindi si misura in Ohm;

Errore del parser (errore di sintassi): {\displaystyle h_{12} = \frac{v_1}{v_2} \right|_{i_1=0}}

è il rapporto tra le tensioni d'ingresso e d'uscita ad ingresso aperto ed è detto amplificazione inversa a vuoto ed è adimensionale;

Errore del parser (errore di sintassi): {\displaystyle h_{21} = \frac{i_2}{i_1} \right|_{v_2=0}}

è il rapporto tra le correnti di uscita e di ingresso quando l'uscita è in corto circuito ed è detto amplificazione di corrente ed è anch'esso adimensionale;

Errore del parser (errore di sintassi): {\displaystyle h_{22} = \frac{i_2}{v_2} \right|_{i_1=0}}

è la conduttanza di uscita con ingresso a vuoto e quindi si misura in Siemens.

Modello ibrido del transistor a giunzione

Possiamo applicare il modello ibrido al transistor a giunzione. Il circuito equivalente del transistor ad emettitore comune è rappresentato in figura.