Modello ibrido del transistor

Per un transistor a giunzione bipolare si può usare il modello a parametri ibridi qualora sia necessario l'uso a basse frequenze.

Modello ibrido

 
Modello a due porte generale.
 
Circuito equivalente generale per un dispositivo due porte.

In generale il modello ibrido è rappresentato da una scatola con due porte: cioè un doppio bipolo. Si hanno quindi quattro variabili, due correnti   e due [Tensione elettrica|tensioni]]  , che si possono mettere in relazione lineare tramite un sistema per esempio:

 

cioè come variabili indipendenti vengono scelti  , ma possono scegliersi altre variabili. I parametri h sono appunto detti parametri ibridi perché mettono in relazione grandezze diverse e quindi alcuni di essi sono adimensionali. Vediamone il significato:

 

prende il nome di resistenza d'ingresso quando l'uscita è in corto circuito e quindi si misura in Ohm;

 

è il rapporto tra le tensioni d'ingresso e d'uscita ad ingresso aperto ed è detto amplificazione inversa a vuoto ed è adimensionale;

 

è il rapporto tra le correnti di uscita e di ingresso quando l'uscita è in corto circuito ed è detto amplificazione di corrente ed è anch'esso adimensionale;

 

è la conduttanza di uscita con ingresso a vuoto e quindi si misura in Siemens.

La notazione più utilizzata è quella IEEE: (11 = i, ingresso), (22 = o, uscita), (12=r, trasferimento inverso), (21=f, trasferimento diretto) come evidenziato nel circuito equivalente generale.


Modello ibrido del transistor a giunzione

Transistor a giunzione bipolare in configurazione a emettitore comune con generatore.
Transistor a giunzione bipolare in configurazione a emettitore comune con generatore.
 
Modello equivalente ibrido del transistor a giunzione a emettitore comune.

Possiamo applicare il modello ibrido al transistor a giunzione nella prima figura. Come si vede nella figura le tensioni e le correnti   con pedice maiuscolo indicano i valori istantanei delle grandezze; i valori   sono i valori massimi o i valori medi delle grandezze,   sono invece sono i valori istantanei delle grandezze e sono usati nel modello ibrido con l'aggiunta del pedice e nei parametri ibridi per identificare la configurazione ad emettitore comune. Il circuito equivalente del modello ibrido del transistor ad emettitore comune è rappresentato nella figura successiva. In base a quanto detto in maniera generale sul modello ibrido possiamo esprimere le variabili dipendenti e indipendenti in maniera arbitraria, ma scegliamo (secondo convenzione) di usare:

 

Vediamo a cosa equivalgono i parametri ibridi:

è la conduttanza di uscita con ingresso a vuoto e quindi si misura in Siemens.

La notazione più utilizzata è quella IEEE: (11 = i, ingresso), (22 = o, uscita), (12=r, trasferimento inverso), (21=f, trasferimento diretto) come evidenziato nel circuito equivalente generale.


Voci correlate