Drogaggio per diffusione termica

In questo tipo di drogaggio i wafer di silicio vengono portati a temperature maggiori di 1000°C per attivare la diffusione del drogante nel silicio stesso. Raggiuta la concentrazione desiderata, è sufficiente abbassare la temperatura dei wafer, estraendoli dalla fornace, per far crollare i valori del coefficiente di diffusione e per bloccare così l'omonimo processo.