Drogaggio per diffusione termica
La diffusione termica è un processo di drogaggio nel quale i wafer di silicio vengono portati a temperature superiori a 1000°C per attivare la diffusione del drogante nel silicio stesso. Raggiunta la concentrazione desiderata, è sufficiente abbassare la temperatura dei wafer, estraendoli dalla fornace, per far crollare i valori del coefficiente di diffusione e per bloccare così l'omonimo processo.