Microscopio a effetto tunnel: differenze tra le versioni

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L'STM si basa sull'[[effetto tunnel]]. Grazie a questo, quando una punta conduttrice è portata molto vicino alla superficie da esaminare, una [[differenza di potenziale]] applicata tra i due permette agli elettroni di attraversare il vuoto tra di loro. La "corrente di ''tunnelling''" che ne risulta dipende dalla posizione della punta, della tensione applicata e della [[densità locale degli stati]] (LDOS, ''Local Density Of States'') del campione.<ref name="Chen">{{cita libro|lingua=en|autore=C. Julian Chen|titolo=Introduction to Scanning Tunneling Microscopy|url=http://www.columbia.edu/~jcc2161/documents/stm_R.pdf|formato=PDF|accesso=28 marzo 2010|anno=1993|editore=Oxford University Press|isbn=0-19-507150-6|urlmorto=sì|urlarchivio=https://web.archive.org/web/20100624205213/http://www.columbia.edu/~jcc2161/documents/stm_R.pdf}}</ref> Misurando la corrente nei diversi punti della superficie del campione si ottengono le immagini topografiche, oltre ad altre informazioni.

L'STM éè solitamente utilizzato in condizioni di [[ultra alto vuoto]], ma puópuò anche essere usato in aria, acqua e in vari altri liquidi o gas ambientali. Puó inoltre essere usato a temperature che variano da quasi [[zero assoluto|zero kelvin]] a poche centinaia di gradi Celsius.<ref name="Chen" /> Può essere una tecnica impegnativa, in quanto richiede superfici estremamente stabili e pulite, punte acuminate (idealmente con un apice composto da un solo atomo), ottimo [[isolamento della vibrazione|controllo delle vibrazioni]] e un'elettronica sofisticata.

== Procedura ==