Microscopio a effetto tunnel: differenze tra le versioni
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[[File:Atomic resolution Au100.JPG|thumb|Immagine di ricostruzione su una superficie di [[oro]][[indice di Miller|(111)]] puro.]]
[[File:Selfassembly Organic Semiconductor Trixler LMU.jpg|thumb|Immagine STM di catene [[chimica supramolecolare|supramolecolari]] [[auto-assemblaggio|auto-assemblate]] del [[semiconduttore organico]] [[quinacridone]] su [[grafite]].]]
Il '''microscopio a effetto tunnel''' (STM, dall'inglese '''''Scanning Tunneling Microscope''''') è un potente strumento per lo studio delle [[Superficie (fisica)|superfici]] a livello atomico. Il suo sviluppo nel 1981 fruttò ai suoi inventori, [[Gerd Binnig]] e [[Heinrich Rohrer]] (all'[[IBM]] di Zurigo), il [[Premio Nobel per la Fisica]] nel 1986.<ref name="Binnig">{{cita pubblicazione| autore = G. Binnig| coautore = H. Rohrer| titolo = Scanning tunneling microscopy| url = https://archive.org/details/sim_ibm-journal-of-research-and-development_1986-01_30_1/page/4| rivista = IBM Journal of Research and Development| volume = 30|p=4| anno = 1986| lingua = en}}</ref><ref>{{cita web| url = https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1986/press.html| titolo = Press release for the 1986 Nobel Prize in physics| accesso=28 marzo 2010| lingua = en| data=15 ottobre 1986| anno = 1986| mese = ottobre}}</ref> Per un STM è considerata buona una risoluzione laterale di 0,1 nm e una risoluzione in profondità di 0,01 nm.<ref name="Bai">{{cita libro| autore = Chunli Bai| titolo = Scanning tunneling microscopy and its applications| editore = Springer Verlag| città = New York| anno = 2000| url = http://books.google.com/books?id=3Q08jRmmtrkC&pg=PA345| isbn = 3-540-65715-0| accesso=28 marzo 2010| lingua = en}}</ref> Con questa risoluzione, i singoli atomi possono essere osservati e manipolati. Il STM può essere utilizzato non solo in condizioni particolari come l'[[ultra alto vuoto]], ma anche nell'aria, nell'acqua e in vari altri liquidi o gas ambienti e a temperature che variano da quasi [[zero assoluto|zero kelvin]] a poche centinaia di gradi Celsius.<ref name="Chen">{{cita libro|autore = C. Julian Chen|titolo = Introduction to Scanning Tunneling Microscopy|anno = 1993|url = http://www.columbia.edu/~jcc2161/documents/stm_R.pdf|formato = PDF|isbn = 0-19-507150-6|editore = Oxford University Press|accesso = 28 marzo 2010|lingua = en|urlmorto = sì|urlarchivio = https://web.archive.org/web/20100624205213/http://www.columbia.edu/~jcc2161/documents/stm_R.pdf}}</ref>
Il STM si basa sull'[[effetto tunnel]]. Quando una punta conduttrice è portata molto vicino alla superficie da esaminare, una [[differenza di potenziale]] applicata tra i due può permettere agli elettroni di attraversare il vuoto tra di loro per effetto tunnel. La "corrente di ''tunnelling''" che ne risulta dipende dalla posizione della punta, della tensione applicata e della [[
Misurando la corrente nei diversi punti della superficie del campione, si ottengono immagini topografiche e altre informazioni. La STM può essere una tecnica impegnativa, in quanto può richiedere superfici estremamente stabili e pulite, punte acuminate, ottimo [[isolamento della vibrazione|controllo delle vibrazioni]] e un'elettronica sofisticata.
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